title:"Figura 36 - rappresentazione schematica dei principi fisici alla base dei materiali optoelettronici: generazione di portatori di carica per assorbimento (sinistra) e ricombinazione radiativa per emissione (destra)"
**Didascalia stampata (testo della tesi):** Figura 36 - rappresentazione schematica dei principi fisici alla base dei materiali optoelettronici: generazione di portatori di carica per assorbimento (sinistra) e ricombinazione radiativa per emissione (destra)
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**Didascalia generata:** Principi fisici dei materiali optoelettronici: assorbimento (luce -> elettricità) ed emissione (elettricità -> luce) con bande di valenza e conduzione.
- Descrizione: Due pannelli con asse Energia (E). Sinistra ASSORBIMENTO (Luce -> Elettricità): banda di conduzione Ec con e-, banda di valenza Ev con h+, band gap Eg, fotone hv assorbito; testo: la luce viene assorbita generando portatori di carica, es. celle solari, fotorivelatori. Destra EMISSIONE (Elettricità -> Luce): ricombinazione e-/lacuna con fotone emesso hv; es. LED, laser.
- Testo visibile: ASSORBIMENTO (Luce → Elettricità) · EMISSIONE (Elettricità → Luce) · Banda di Conduzione (Ec) · Banda di Valenza (Ev) · Band Gap (Eg) · Fotone (hν) · Fotone emesso (hν) · e- · h+ · Energia (E) · La luce viene assorbita, generando portatori di carica (elettrone-lacuna). Es. Celle solari, fotorivelatori · La ricombinazione di elettrone e lacuna emette energia sotto forma di luce. Es. LED, laser
## Contesto nel testo
Introduce l'optoelettronica come interazione tra radiazione e semiconduttori; DPP come cromoforo chiave.
